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台积电谈尖端工艺:16nm FinFET芯片的开发订单数已超过20nm

来源:茸茸网

台积电从20nm级开始只采用一种工艺。在20nm以前的级别中,会根据用途准备多种工艺,比如,28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工艺。而20nm只有“20SOC”一种工艺。据介绍,20SOC是在28nm工艺中备受好评的、兼顾低功耗和高性能的“HPM”的新版本。尖端工艺的应用领域几乎都是移动设备用SoC,考虑到这种现状,可以说采用一种工艺是很稳妥的。如果今后20nm不再是尖端工艺,很可能会增加新的工艺。ReferenceFlow的走势。台积电网站的数据

主要的R&D项目。台积电网站的数据

对于台积电来说,20nm工艺是采用平面晶体管的最后一代工艺。目前,20SOC正处于风险量产(可靠性评估为168个小时)阶段。将在2014年第一季度台南F14P5生产线投产时转为全面量产(可靠性评估在1000个小时以上)。据石原介绍,20SOC的芯片开发方案目前有25个,其中有5个已流片(完成了设计),正在进行风险量产。Coretx-A57能以Fmax工作从接下来的16nm工艺开始,将进入立体晶体管(FinFET)时代。16nmFinFET工艺的风险量产预定在2013年底开始。台积电已经通过16nmFinFET工艺,试制完成了配备SRAM、环形振荡器以及ARM处理器内核“Cortex-A57”的测试芯片。现已证实,该测试芯片能够以性能指标中的最大工作频率(Fmax)工作。以16nmFinFET工艺制造的IC的设计环境已经具备。台积电在2013年10月1日于美国加利福尼亚州SanJose举行的“TSMC2013OpenInnovationPlatform(OIP,开放创新平台)EcosystemForum”上,发布了2013年版的“ReferenceFlow”。2013年版的焦点是支持16nmFinFET。据石原介绍,目前16nmFinFET的芯片开发计划有30个,超过了20SOC。2013年的R&D投资为15亿美元在OIPEcosystemForum上,台积电推出了OIP的“进化版”——“GrandAlliance”(大联盟)。OIP将EDA供应商、IP内核提供商等为芯片设计提供支援的合作企业联合到了一起。GrandAlliance的成员除了OIP的合作企业以外,还包括半导体制造装置厂商、材料厂商以及顾客,形成了利用尖端工艺共同开发芯片的氛围,如同命运共同体。可以说,GrandAlliance的成立就是台积电的影响力更胜以往的证明。今后,台积电将不断推进微细化,同时进行MoreThanMoore的开发,比如三维封装的开发等。目前,从事R&D的工程师的人数为4200人。R&D的投资额逐年上升,2013年为115亿美元。

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